晶体三极管（BJT）
《模拟电子技术基础》（第五版）P24
场效应管（FET）
结型场效应管（JFET）
《模拟电子技术基础》（第五版）P33
绝缘栅型场效应管（IGFET）
- 绝缘栅型场效应管的栅极与源极、漏极之间都采用SiO2绝缘层隔离，栅极为金属铝，又称MOS管
- IGFET的G-S间内阻比JFET大得多，可达1010Ω以上
- MOS分N沟道和P沟道两类，每一类分增强型和耗尽型两种，UGS=0时，Id=0为增强型，Id≠0为耗尽型
- NMOS的UGS 越大，反型层越厚，导电沟道电阻越小
- 与JFET一样，MOS管有三个工作区：可变电阻区、恒流区、夹断区，当UDS增大到UGS(th)（即UDS=UGS-UGS(th)）时，沟道在漏极一侧出现加断点，进入恒流区，UDS增大的部分几乎全部用于克服预夹断区对漏极电流的阻力
- UDS>UGS-UGS(th)时，对应每一个UGS就有一个确定的Id，可将Id视为电压UGS控制的电流源
FET符号及特性
